Problema dei gate di commutazione
Per ottenere una migliore efficienza e una risposta più rapida del drivetrain, i progetti con transistor bipolari a gate isolato (IGBT) stanno evolvendo verso l'utilizzo di transistor realizzati con semiconduttori a elevata banda proibita (ad esempio, carburo di silicio; SiC), che offrono una commutazione più rapida. Ancora più importante, i transistor hanno una resistenza di conduzione dinamica inferiore, che offre una migliore efficienza conduttiva.
I fronti ascendenti e discendenti più veloci delle forme d'onda rappresentano una sfida per la progettazione, perché possono introdurre disturbi EMI a livello di sistema. I segnali parassiti possono intensificare i fenomeno di ondulazione e risonanza (ringing) e causare eventi dannosi di conduzione contemporanea, quando vengono attivati contemporaneamente entrambi i gate dei rami superiore e inferiore del circuito di potenza. È necessaria un'ulteriore analisi delle temporizzazione dei circuiti di pilotaggio dei transistor e degli inverter.
Il trigger digitale degli oscilloscopi serie MXO risulta molto utile per rilevare i glitch nei gate dei transistor. La risoluzione HD a 18 bit garantisce una forma d'onda ad alta precisione per l'impostazione del trigger con un'elevata sensibilità per facilitare il debug dei progetti. La trasformata FFT veloce aiuta a rilevare le emissioni di EMI e migliora i progetti dei filtri dei circuiti.