パワーエレクトロニクス・システムがデジタル処理基板上にある場合、論理回路の課題とは異なるものの同種の問題に直面します。これらの問題には、デザインの決定に影響を与えるトレードオフが含まれます。パワーエレクトロニクスコンバーターのワイドバンドギャップ半導体、例えば窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）には次のような利点があります：
しかし、使用されるスイッチング周波数が上昇すると、パワーコンバーター内で寄生成分が発生する可能性も増大します。
信頼性は、パワーエレクトロニクス回路のクリティカルな要件です。電源回路に障害が起きれば、デバイスは動作しなくなります。高い効率により、発熱の原因となるエネルギー損失を最小限に抑えれば、信頼性の向上に役立ちます。最も効率的なパワーエレクトロニクス回路でも発熱するので、十分な放熱設計と適切な材料選択が不可欠です。パワーエレクトロニクス回路は、EMI要件にも適合する必要があります。エミッションは、そのデバイスと近隣のデバイスの双方に影響を与えます。
The USB Implementers Forum (USB-IF) has approved the USB 3.2 Gen 1 & Gen 2 transmitter and receiver compliance test solution from Rohde & Schwarz, confirming that it meets the stringent requirements set by the standardization body. Manufacturers of USB devices preparing for official USB-IF certification can have full confidence in the accuracy and reliability of the test results produced by the test solution.
