DDR3 메모리 읽기 및 쓰기 주기 트리거링

DDR 인터페이스의 신호 무결성 성능을 분석할 때에는 읽기와 쓰기 주기를 분리하는 것이 어려운 과제였습니다. 특히 아이 다이어그램을 실시간으로 재생성할 때 포괄적 트리거 기능이 필요합니다.

DDR 읽기/쓰기 주기 랜덤 오버레이
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목표

DDR 인터페이스의 신호 품질은 메모리 시스템을 안정적으로 작동하는 데 중요합니다. 데이터 아이 분석은 신호 무결성을 평가하는 데 일반적으로 사용되는 방법입니다. DDR 아키텍처는 각각 다른 시간 간격에 동일한 신호 트레이스에서 읽기 및 쓰기 주기가 발생하는 반이중 작동을 사용합니다. 엔지니어는 eye 분석의 읽기와 쓰기 주기를 구분하기 위해 데이터(DQ)의 위상 정렬 및 스트로브(DSQ) 신호를 살펴봅니다. 전용 트리거링을 사용하여 읽기/쓰기 주기를 구분하는 것은 쉽지 않을 수 있지만 장기간의 데이터에 대한 eye 분석을 수행하는 것은 가능합니다.

읽기/쓰기 주기
읽기/쓰기 주기

T&M 솔루션

R&S®RTP High-Performance Oscilloscope에는 고급 트리거 기능이 탑재되어 있습니다. 고유 디지털 트리거 시스템의 A-B 시퀀스에서는 정밀 시간 지연과 최저 1ps 분해능으로 연속 2개 트리거 조건을 설정할 수 있습니다. 트리거 조건은 다른 채널의 Logic Qualifier와 결합될 수 있습니다. 또한 R&S®RTP-K19 Zone Trigger 옵션을 사용할 경우 사용자가 트리거 조건을 한정된 구역에서 시각적으로 정의하여 간단히 설정할 수 있습니다.

읽기/쓰기 주기

DDR 메모리 인터페이스는 읽기/쓰기 주기의 위상이 일치하지 않습니다. 이 아키텍처에서는 데이터가 안정적으로 높거나 낮을 때 데이터(DQ)를 래치하기 위해 메모리 컨트롤러가 DQS(Differential Strobe Signal)를 제공해야 합니다. 읽기 주기 중에는 DQS 및 DQ가 DRAM에서 메모리 컨트롤러로 동일 위상으로 전송되지만 쓰기 주기에서는 0.5 UI(Unit Interval) 오프셋이 있습니다.

지연이 있는 A-B 트리거 설정
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지연이 있는 A-B 트리거 설정

쓰기 주기의 위상 관계를 활용하여 A 트리거 이벤트를 DQ 신호의 엣지 트리거로 정의할 수 있습니다. 그런 다음 지연 및 리셋 메커니즘이 DQS 신호에서 이벤트 B 엣지 트리거를 확인하기 위해 이를 제한합니다. 이벤트 B를 찾는 지연은 ½ UI 이내여야 합니다.

이벤트 A의 경우 3상 시퀀스에서 반환된 후 첫 번째 DQ 비트를 탐지하는 윈도우 트리거도 가능합니다(윈도우 폭 > 1 UI).

DQS 프리앰블에서 트리거

DDR3의 경우 DQS 프리앰블 비트는 쓰기 주기에서 양이며 읽기 주기에서 음입니다. DRAM 컨트롤러는 데이터 비트 폭에 비해 프리앰블 비트 폭이 약간 다릅니다. 이 차이를 기반으로 하는 트리거링이 가능합니다. 1 UI보다 긴 펄스에서 폭 트리거를 정의하거나 1 UI ~ 1.5 UI 범위를 사용할 수 있습니다. 프리앰블은 각각 다르게 구현되기 때문에 가장 먼저 기기의 프리앰블 타이밍 특성을 관찰하는 것이 좋습니다.

DQS 프리앰블에서 트리거
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DQS 프리앰블에서 트리거

DDR3의 경우 DQS 프리앰블 비트는 쓰기 주기에서 양이며 읽기 주기에서 음입니다. DRAM 컨트롤러는 데이터 비트 폭에 비해 프리앰블 비트 폭이 약간 다릅니다. 이 차이를 기반으로 하는 트리거링이 가능합니다. 1 UI보다 긴 펄스에서 폭 트리거를 정의하거나 1 UI ~ 1.5 UI 범위를 사용할 수 있습니다. 프리앰블은 각각 다르게 구현되기 때문에 가장 먼저 기기의 프리앰블 타이밍 특성을 관찰하는 것이 좋습니다.

존 트리거

R&S®RTP는 특징적인 파형 형태를 기준으로 유효한 읽기 및 쓰기 주기를 한정하는 데 유효한 존 트리거(옵션)를 제공합니다. 화면에서 직접 존을 정의하여 신호가 존을 통과해야 하는지 여부를 구분할 수 있습니다. 이는 특히 파형 특성이 트리거 정의와 다를 경우 유용합니다.

쓰기 주기에서는 DQS와 DQ의 위상이 일치하지 않습니다. DQ 신호가 DQS와 동일한 엣지를 벗어나지 않도록 존을 정의할 수 있습니다.

DDR 메모리의 신호 무결성은 일반적으로 DRAM 측에서 측정합니다. 이는 쓰기 신호가 읽기 신호보다 전압 진폭이 낮음을 의미합니다. 따라서 존 영역은 신호 세기(전압 수준)를 기준으로 읽기 주기의 적합성 여부를 판단합니다.

요약

DDR 메모리 인터페이스의 신호 무결성 평가에는 읽기 및 쓰기 주기를 안정적으로 구분하는 것이 중요합니다. R&S®RTP 고성능 오실로스코프의 디지털 트리거는 정밀한 순차 트리거 메커니즘을 보장합니다. 여기에 존 트리거를 결합할 경우 DDR 메모리 인터페이스 측정 시 유연하고 다양한 목적의 트리거링 기능을 제공할 수 있습니다.