Благодаря применению в силовых преобразователях полупроводников с широкой запрещенной зоной, таких как нитрид галлия (GaN) и карбид кремния (SiC), стало возможным изготовление источников питания с очень высокой плотностью мощности, которые работают с низкими потерями на переключение и высокой эффективностью. Однако преимущества таких быстродействующих транзисторов в силовых преобразователях могут быть ограничены, если не принимать во внимание влияние паразитных компонентов на высоких частотах.
Официальный документ содержит введение в паразитные компоненты и их описание в пассивных элементах, таких как конденсаторы, катушки индуктивности и резисторы. Кроме того, здесь представлено описание принципов работы LCR-измерителя и демонстрируется работа с LCR-измерителем R&S®LCX200.