Problème de commutation de porte
Pour une meilleure efficacité et une réponse de transmission plus rapide, des conceptions avec des transistors bipolaires à porte isolée (IGBT) passent à des transistors qui utilisent la technologie large bande (par exemple au carbure de silicium; SiC), qui fournissent une commutation plus rapide. Plus important encore, les transistors possèdent une résistance dynamique inférieure pour une meilleure efficacité conductive.
Des fronts de montée / descente plus rapides sont une conception complexe car ils peuvent introduire du bruit EMI dans un système. Des signaux parasites peuvent intensifier le bruit et engendrer des dommages lorsque les portes de niveau haut et de niveau bas sont activées. Une analyse de synchronisation supplémentaire est nécessaire pour les transistors et les circuits de convertisseur.
Le déclenchement numérique de la série MXO est très utile pour la détection de glitches dans les portes de transistors. La résolution HD 18 bits possède une forme d'onde déclenchable de haute précision avec une sensibilité de déclenchement élevée pour permettre le débogage des conceptions. La FFT rapide permet de détecter des émissions EMI et améliore les conceptions de filtre du circuit.