파워 컨버터에서 GaN(갈륨 나이트라이드), SiC(실리콘 카바이드)와 같은 와이드 밴드갭 반도체를 이용하는 사례가 증가함에 따라 전력 밀도가 우수하고 낮은 스위칭 손실과 높은 효율성의 전원공급장치 작동이 가능하게 되었습니다. 하지만 고주파에서 나타나는 기생 효과를 고려하지 않을 경우 파워 컨버터에 사용되는 고속 스위칭 트랜지스터의 장점이 제한될 수 있습니다.
본 백서는 기생 특성에 대해 소개하고 커패시터, 인덕터, 레지스터와 같은 패시브 구성요소 내의 기생 효과에 대해 설명합니다. 마지막으로, LCR 미터의 기본 작동에 대해 살펴보고 R&S®LCX200 LCR 미터를 사용하는 방법을 보여드립니다.