Nos últimos anos houve um aumento substancial na utilização de dispositivos ativos que operam em frequências inferiores a terahertz e de ondas milimétricas. Esses dispositivos possuem áreas de aplicação em diversos setores, que incluem indústria automotiva, radares, radiocomunicações para astronomia, sensoriamento remoto, utilizações militares, entre outros.

A medição de parâmetros S sempre foi uma forma reconhecida de caracterizar estes dispositivos. Vamos examinar agora como os analisadores de redes vetoriais são utilizados para caracterizar esses dispositivos em teste em aplicações de conversão sem frequência e conversão de frequência linear.

E como os dispositivos começam a ser levados para regiões não lineares, os parâmetros S padrão não são suficientes para uma caracterização completa do dispositivo, novas técnicas precisam ser utilizadas.

Nós analisaremos as técnicas para medir parâmetros S nos níveis de potência especificados pelo usuário, discutiremos como fazer medições precisas e repetíveis de compressão do ganho e também medições ativas de load pull que não sejam de 50 ohm nos dispositivos em teste sob condições de sinais amplos, tornando possível a validação de modelos de dispositivos não lineares, e explicaremos como criar redes de adaptação de impedâncias ideais para maximizar o desempenho dos dispositivos em teste.