A crescente utilização de semicondutores de banda larga, como nitreto de gálio (GaN) e carbeto de silício (SiC), em conversores de potência permitiu a criação de fontes de alimentação com alta densidade de potência que operam com poucas perdas por comutação e maior eficiência. No entanto, os benefícios desses transistores de comutação rápida usados em conversores de potência podem ser limitados se os efeitos dos componentes parasitas que aparecem em altas frequências não forem considerados.
Essa publicação técnica oferece uma introdução a esses tipos de componentes, bem como uma descrição dos parasitas em componentes passivos, como capacitores, indutores e resistores. Para finalizar, descrevemos a operação básica de um medidor LCR e apresentamos uma demonstração de como usar o medidor LCR R&S®LCX200.